39,99 €
inkl. MwSt.
Versandkostenfrei*
Versandfertig in 6-10 Tagen
payback
20 °P sammeln
  • Broschiertes Buch

Niniejsza ksi¿¿ka przedstawia dog¿¿bne badania eksperymentalne zachowania tranzystorów SiC JFET w wymagaj¿cych zastosowaniach lotniczych. Opisano kompletn¿ metodologi¿, w tym projekt zautomatyzowanego stanowiska testowego z wykorzystaniem LabView, testy wytrzymäo¿ciowe w celu okre¿lenia energii krytycznej oraz testy przyspieszonego starzenia w celu monitorowania zmian parametrów elektrycznych. Uzyskane wyniki podkre¿laj¿ wiarygodne wskäniki degradacji i otwieraj¿ interesuj¿ce perspektywy projektowania bardziej odpornych systemów elektronicznych w ekstremalnych ¿rodowiskach.

Produktbeschreibung
Niniejsza ksi¿¿ka przedstawia dog¿¿bne badania eksperymentalne zachowania tranzystorów SiC JFET w wymagaj¿cych zastosowaniach lotniczych. Opisano kompletn¿ metodologi¿, w tym projekt zautomatyzowanego stanowiska testowego z wykorzystaniem LabView, testy wytrzymäo¿ciowe w celu okre¿lenia energii krytycznej oraz testy przyspieszonego starzenia w celu monitorowania zmian parametrów elektrycznych. Uzyskane wyniki podkre¿laj¿ wiarygodne wskäniki degradacji i otwieraj¿ interesuj¿ce perspektywy projektowania bardziej odpornych systemów elektronicznych w ekstremalnych ¿rodowiskach.
Autorenporträt
T. Ben Salah, profesor ISSAT Sousse, doktor INSA Lyon/FSM, ekspert w dziedzinie energoelektroniki. Specjalizuje si¿ w projektowaniu komponentów, EMC i integracji systemów wbudowanych. Opracowuje innowacyjne rozwi¿zania dla krytycznych aplikacji. Podej¿cie ¿¿cz¿ce modelowanie, symulacj¿ i walidacj¿ eksperymentaln¿.