Niniejsza ksi¿¿ka przedstawia dog¿¿bne badania eksperymentalne zachowania tranzystorów SiC JFET w wymagaj¿cych zastosowaniach lotniczych. Opisano kompletn¿ metodologi¿, w tym projekt zautomatyzowanego stanowiska testowego z wykorzystaniem LabView, testy wytrzymäo¿ciowe w celu okre¿lenia energii krytycznej oraz testy przyspieszonego starzenia w celu monitorowania zmian parametrów elektrycznych. Uzyskane wyniki podkre¿laj¿ wiarygodne wskäniki degradacji i otwieraj¿ interesuj¿ce perspektywy projektowania bardziej odpornych systemów elektronicznych w ekstremalnych ¿rodowiskach.
Bitte wählen Sie Ihr Anliegen aus.
Rechnungen
Retourenschein anfordern
Bestellstatus
Storno







