Synthese und Charakterisierung von Nanomaterialien - Chauhan, Jyotsna
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ZnO ist ein typischer II-IV-Halbleiter mit hervorragenden elektrischen, optischen und chemischen Eigenschaften und einer Bandlückenenergie (EG) von 3,1-3,4 eV. Es hat eine sehr große Anregungsbindungsenergie von 60 meV bei Raumtemperatur, was der von TiO2 sehr nahe kommt. Aufgrund seiner hohen Lichtempfindlichkeit und chemischen Stabilität wird es als besser für Photokatalyse-Anwendungen geeignet angesehen. In jüngster Zeit wurde besonderes Interesse an seiner Morphologie gezeigt, da ZnO verschiedene Nanostrukturen bilden kann, die für eine Vielzahl von Anwendungen in UV-abschirmenden…mehr

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Produktbeschreibung
ZnO ist ein typischer II-IV-Halbleiter mit hervorragenden elektrischen, optischen und chemischen Eigenschaften und einer Bandlückenenergie (EG) von 3,1-3,4 eV. Es hat eine sehr große Anregungsbindungsenergie von 60 meV bei Raumtemperatur, was der von TiO2 sehr nahe kommt. Aufgrund seiner hohen Lichtempfindlichkeit und chemischen Stabilität wird es als besser für Photokatalyse-Anwendungen geeignet angesehen. In jüngster Zeit wurde besonderes Interesse an seiner Morphologie gezeigt, da ZnO verschiedene Nanostrukturen bilden kann, die für eine Vielzahl von Anwendungen in UV-abschirmenden Materialien, Gassensoren, Biosensoren, Halbleitern, piezoelektrischen Bauelementen, Feldemissionsanzeigen, photokatalytischen Abbau von Schadstoffen und antimikrobiellen Behandlungen geeignet sind.
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Autorenporträt
Professor Jyotsna Chauhan is working as Head of Department in Rajeev Gandhi Technical University, India. She has 23 years of teaching experience. Author published nine books on nanomaterial and crystallography.