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À medida que a moderna tecnologia de comunicação sem fios evolui, os amplificadores de potência (PAs) de RF tornam-se um tema quente, porque são o componente-chave dos sistemas de comunicação móvel sem fios e a qualidade da comunicação depende fortemente do desempenho dos PAs de RF. Os sistemas de comunicação sem fios modernos, como o CDMA2000, WCDMA, OFDM, etc., destinam-se a maximizar a velocidade de transmissão de dados num ambiente em rápida evolução. Os sinais modulados destes sistemas requerem uma boa linearidade e eficiência, ao mesmo tempo que os sinais têm um elevado rácio entre o…mehr

Produktbeschreibung
À medida que a moderna tecnologia de comunicação sem fios evolui, os amplificadores de potência (PAs) de RF tornam-se um tema quente, porque são o componente-chave dos sistemas de comunicação móvel sem fios e a qualidade da comunicação depende fortemente do desempenho dos PAs de RF. Os sistemas de comunicação sem fios modernos, como o CDMA2000, WCDMA, OFDM, etc., destinam-se a maximizar a velocidade de transmissão de dados num ambiente em rápida evolução. Os sinais modulados destes sistemas requerem uma boa linearidade e eficiência, ao mesmo tempo que os sinais têm um elevado rácio entre o pico e a potência média. Assim, a linearidade e a eficiência são duas das caraterísticas mais importantes dos PAs para aplicações sem fios. Recentemente, um número crescente de componentes de RF está a ser integrado utilizando o processo CMOS para satisfazer os requisitos de baixo custo e pequenas dimensões nos mercados de consumo sem fios. No entanto, o amplificador de potência CMOS é difícil de projetar devido à baixa tensão de rutura, ao substrato condutor de Si e à falta de ligação à terra. Tudo isto torna a conceção de um PA totalmente integrado extremamente difícil. Este livro centra-se no aumento da eficiência e nas técnicas de linearização para o projeto de amplificadores de potência CMOS.
Autorenporträt
Dr. Chenxi Zhao erhielt 2014 seinen Doktortitel von der Universität für Wissenschaft und Technologie Pohang. Seit 2014 ist er Dozent an der Universität für elektronische Wissenschaft und Technologie in China. Zu seinen Hauptforschungsinteressen gehören die Modellierung von HF-CMOS-Bauteilen, CMOS-HF-Transceiver und Leistungsverstärkerdesign für Millimeterwellenanwendungen.