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Studies on Electrical Properties of GaN based MIS Type Schottky Device
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Dr. V. Manjunath
Prof. Varra Rajagopal Reddy
Studies on Electrical Properties of GaN based MIS Type Schottky Device
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Prof. Varra Rajagopal Reddy
Electrical Properties of n-GaN based MOS type Schottky Junctions
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13. Januar 2021
LAP Lambert Academic Publishing

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