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Questo lavoro riguarda lo studio di superreticoli a pozzo quantico basati su materiali semiconduttori II/VI (CdTe)n/(HgTe)n. Queste eterostrutture possiedono proprietà interessanti sia dal punto di vista strutturale che elettronico.È stato utilizzato il metodo degli orbitali lineari di muffin-tin (FP-LMTO), basato sulla teoria del funzionale della densità (DFT). La DFT è uno dei metodi ab initio. Le energie di scambio e correlazione sono descritte utilizzando l'approssimazione del gradiente generalizzato (GGA). Le proprietà strutturali dei composti di CdTe e HgTe e dei loro superreticoli (CdTe)n/(HgTe)n sono state calcolate per configurazioni (n = 1 a 2) nella fase zinco-blenda. Tra i principali risultati ottenuti, il parametro a_2,2 è due volte più grande di a_(1,1).Le proprietà strutturali calcolate dei composti di CdTeet e HgTeet sono in buon accordo con i dati sperimentali e teorici disponibili.Sulla base delle proprietà elettroniche, osserviamo che i materiali CdTeet e HgTeet e i loro superreticoli hanno il valore di band gap diretto.