Andere Kunden interessierten sich auch für
![Estudo das propriedades optoelectrónicas das ligas HfxSi1-xO2]( "Estudo das propriedades optoelectrónicas das ligas HfxSi1-xO2")
Estudo das propriedades optoelectrónicas das ligas HfxSi1-xO228,99 €![Studio delle proprietà optoelettroniche delle leghe HfxSi1-xO2]( "Studio delle proprietà optoelettroniche delle leghe HfxSi1-xO2")
Studio delle proprietà optoelettroniche delle leghe HfxSi1-xO228,99 €![Untersuchung der optoelektronischen Eigenschaften von HfxSi1-xO2-Legierungen]( "Untersuchung der optoelektronischen Eigenschaften von HfxSi1-xO2-Legierungen")
Untersuchung der optoelektronischen Eigenschaften von HfxSi1-xO2-Legierungen43,90 €![Etude des propriétés optoélectroniques des alliages HfxSi1-xO2]( "Etude des propriétés optoélectroniques des alliages HfxSi1-xO2")
Etude des propriétés optoélectroniques des alliages HfxSi1-xO228,99 €![Study of the optoelectronic properties of HfxSi1-xO2 alloys]( "Study of the optoelectronic properties of HfxSi1-xO2 alloys")
Study of the optoelectronic properties of HfxSi1-xO2 alloys29,99 €![Estudio de las propiedades optoelectrónicas de las aleaciones HfxSi1-xO2]( "Estudio de las propiedades optoelectrónicas de las aleaciones HfxSi1-xO2")
Estudio de las propiedades optoelectrónicas de las aleaciones HfxSi1-xO229,99 €![ZWI¿ZANE Z WIEKIEM ZMIANY W ZESPOLE NERCZYCOWYM U DZIECI]( "ZWI¿ZANE Z WIEKIEM ZMIANY W ZESPOLE NERCZYCOWYM U DZIECI")
ZWI¿ZANE Z WIEKIEM ZMIANY W ZESPOLE NERCZYCOWYM U DZIECI28,99 €
W niniejszej pracy zbadali¿my stabilno¿¿ dynamiczn¿, w¿äciwo¿ci strukturalne, elektroniczne i termoelektryczne stopów typu HfxSi1-xO2, stosuj¿c metod¿ liniaryzowanych fal p¿askich o cäkowitym potencjale (FP-LAPW) w ramach teorii funkcjonäu g¿sto¿ci (DFT) zaimplementowanej w kodzie Wien2k. Potencjä wymiany i korelacji by¿ traktowany przy u¿yciu ró¿nych aproksymacji, takich jak GGA. Uzyskane wyniki elektroniczne wykazäy, ¿e HfSi3O8 ma charakter pó¿przewodnika z bezpo¿redni¿ przerw¿ energetyczn¿ równ¿ 3,909 eV, przy u¿yciu aproksymacji GGA. W przypadku zwi¿zków HfSiO4 i Hf3SiO8 wyniki badania struktury pasmowej wskazuj¿, ¿e oba zwi¿zki s¿ pó¿przewodnikami z po¿redni¿ przerw¿ energetyczn¿ o warto¿ciach prognozowanych wynosz¿cych odpowiednio 7,2 eV i 5,2 eV dla HfSiO4 i Hf3SiO8. Uzyskane w¿äciwo¿ci termoelektryczne i stabilno¿¿ dynamiczna wskazuj¿, ¿e zwi¿zki te s¿ bardzo sztywne, nieodksztäcalne i silnie uporz¿dkowane.