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Este libro presenta un estudio experimental en profundidad del comportamiento de los transistores SiC JFET para aplicaciones aeroespaciales exigentes. Se describe una metodología completa que incluye el diseño de un banco de pruebas automatizado mediante LabView, ensayos de robustez para determinar la energía crítica y pruebas de envejecimiento acelerado para monitorizar los cambios en los parámetros eléctricos. Los resultados ponen de relieve indicadores fiables de degradación y abren interesantes perspectivas para el diseño de sistemas electrónicos más resistentes en entornos extremos.

Produktbeschreibung
Este libro presenta un estudio experimental en profundidad del comportamiento de los transistores SiC JFET para aplicaciones aeroespaciales exigentes. Se describe una metodología completa que incluye el diseño de un banco de pruebas automatizado mediante LabView, ensayos de robustez para determinar la energía crítica y pruebas de envejecimiento acelerado para monitorizar los cambios en los parámetros eléctricos. Los resultados ponen de relieve indicadores fiables de degradación y abren interesantes perspectivas para el diseño de sistemas electrónicos más resistentes en entornos extremos.
Autorenporträt
T. Ben Salah, profesor en ISSAT Sousse, doctor INSA Lyon/FSM, experto en electrónica de potencia. Especializado en diseño de componentes, CEM e integración de sistemas embebidos. Desarrolla soluciones innovadoras para aplicaciones críticas. Enfoque que combina modelización, simulación y validación experimental.