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La consommation d'énergie de la mémoire principale a un effet significatif sur les performances du système à microprocesseur. L'énergie générée à partir de l'énergie consommée par la mémoire principale est l'une des contraintes critiques des performances du microprocesseur. Cela s'observe particulièrement dans les appareils informatiques portables et les ordinateurs embarqués, tels que les téléphones portables, les PDA et les ordinateurs portables.La mémoire vive magnétique (MRAM) est une nouvelle technologie de mémoire émergente qui combine la vitesse élevée de la mémoire vive statique (SRAM)…mehr

Produktbeschreibung
La consommation d'énergie de la mémoire principale a un effet significatif sur les performances du système à microprocesseur. L'énergie générée à partir de l'énergie consommée par la mémoire principale est l'une des contraintes critiques des performances du microprocesseur. Cela s'observe particulièrement dans les appareils informatiques portables et les ordinateurs embarqués, tels que les téléphones portables, les PDA et les ordinateurs portables.La mémoire vive magnétique (MRAM) est une nouvelle technologie de mémoire émergente qui combine la vitesse élevée de la mémoire vive statique (SRAM) et les caractéristiques d'accès, de densité et de coût de la DRAM. La SRAM est une technologie de mémoire non volatile qui conserve les données dans ses cellules sans précharge. Elle est principalement utilisée comme mémoire cache dans les ordinateurs. La MRAM utilise le magnétisme pour stocker des bits de données. Elle utilise la polarité magnétique d'une fine couche ferromagnétique pour stocker des données. L'électricité est utilisée pour changer la polarité magnétique de sa cellule.
Autorenporträt
Dr. Shehu Salihu Mustafa hat einen Bachelor-Abschluss in Elektrotechnik von der Federal University of Technology Minna. Anschließend erwarb er einen MSc in Computertechnik an der University of Hertfordshire, Großbritannien. Er promovierte in elektrischer Energietechnik an der Universiti Putra Malaysia.