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O consumo de energia da memória principal tem um efeito significativo no desempenho do sistema de microprocessador. A potência gerada a partir da energia consumida pela memória principal é um dos principais factores de limitação do desempenho do microprocessador. Este facto é particularmente observado em dispositivos informáticos portáteis e computadores incorporados, como telemóveis, PDA e computadores portáteis.A RAM magnética (MRAM) é uma nova tecnologia de memória emergente que combina a alta velocidade da RAM estática (SRAM) com as caraterísticas de acesso, densidade e custo da DRAM. A…mehr

Produktbeschreibung
O consumo de energia da memória principal tem um efeito significativo no desempenho do sistema de microprocessador. A potência gerada a partir da energia consumida pela memória principal é um dos principais factores de limitação do desempenho do microprocessador. Este facto é particularmente observado em dispositivos informáticos portáteis e computadores incorporados, como telemóveis, PDA e computadores portáteis.A RAM magnética (MRAM) é uma nova tecnologia de memória emergente que combina a alta velocidade da RAM estática (SRAM) com as caraterísticas de acesso, densidade e custo da DRAM. A SRAM é uma tecnologia de memória não volátil que retém dados nas suas células sem pré-carga. É principalmente utilizada como cache em computadores. A MRAM utiliza o magnetismo para armazenar bits de dados. Utiliza a polaridade magnética de uma fina camada ferromagnética para armazenar dados. A eletricidade é utilizada para mudar a polaridade magnética da sua célula.
Autorenporträt
Shehu Salihu Mustafa received his BEng degree in Electrical and Computer Engineering from Federal University of Technology Minna, Nigeria in 2002. He also received his MSc degree in Computer Engineering from University of Hertfordshire, UK in 2005 and a Doctorate degree in Electrical Power Engineering from Universiti Putra Malaysia in 2018.