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La aplicación de la identificación por radiofrecuencia (RFID) de ultra alta frecuencia (UHF) ha ido ganando impulso desde la ratificación del protocolo EPC Clase 1 Gen 2 (EPC C1G2, también conocido como ISO 18000-6C). La disponibilidad limitada de diodos de barrera Schottky (SBD) ha estimulado la investigación de soluciones de circuitos alternativos para fabricar chips RFID UHF de rendimiento comparable utilizando procesos CMOS típicos. El front-end analógico RFID UHF tiene cuatro componentes básicos: rectificador de RF a CC UHF, referencia y regulador de tensión, modulador y demodulador. Este libro identificó el MOSFET de umbral dinámico (DTMOST) como un dispositivo prometedor para aplicaciones de consumo ultrabajo y exploró topologías de circuitos y metodologías de diseño que emplean DTMOST para el AFE RFID UHF. Todos los diseños y análisis de circuitos se basaron en una tecnología CMOS de 0,18 µm de polisilicio simple y seis capas metálicas (1P6M) con triple pozo. Se compararon y contrastaron las ventajas en cuanto a rendimiento, consumo de energía, penalización de área y consideraciones de diseño asociadas a las técnicas DTMOST con las células tradicionales.