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Este libro presenta el diseño de una ALU de 1 bit de alta velocidad y bajo consumo en tecnología CMOS de 45 nm. El diseño de circuitos de alta velocidad y bajo consumo se ha convertido en un campo emergente y desafiante entre los diseñadores e investigadores de circuitos. Se ha diseñado una ALU de 1 bit en tecnología CMOS de 45 nm utilizando técnicas de circuitos CMOS, nMOS PTL y GDI, y se han comparado sus características de rendimiento, como la disipación de potencia, el retardo, el producto potencia-retardo y el número de transistores. La técnica GDI proporciona mejores características de rendimiento para el diseño de circuitos VLSI de alta velocidad y bajo consumo. Esta técnica de circuitos reduce la disipación de potencia y el retardo, y además mantiene una baja complejidad en el diseño de circuitos integrados. Esta técnica es adecuada para diseñar circuitos VLSI de alta velocidad y bajo consumo utilizando un número muy reducido de transistores en comparación con otras técnicas de diseño de circuitos. Esta técnica se ha convertido en una técnica de circuitos eficaz para diseñar circuitos VLSI de alta velocidad y bajo consumo. Las contribuciones realizadas en este libro ayudarían a los diseñadores de circuitos e investigadores a diseñar circuitos integrados de alta velocidad y bajo consumo.