Andere Kunden interessierten sich auch für
![Methoden zur Leistungssteigerung von netzgekoppelten Photovoltaikanlagen]( "Methoden zur Leistungssteigerung von netzgekoppelten Photovoltaikanlagen")
Methoden zur Leistungssteigerung von netzgekoppelten Photovoltaikanlagen35,90 €![Analyse der Energieeinsparpotenziale zur bedarfsgerechten Reichweitenerhöhung von Elektrofahrzeugen]( "Analyse der Energieeinsparpotenziale zur bedarfsgerechten Reichweitenerhöhung von Elektrofahrzeugen")
Analyse der Energieeinsparpotenziale zur bedarfsgerechten Reichweitenerhöhung von Elektrofahrzeugen59,80 €![Fachkunde Elektrotechnik für Einsteiger: Alle Grundlagen, wichtigen Details und spezifische Fachkenntnisse leicht verständlich erklärt und beigebracht (inkl. Tabellenbuch, Übungen, Baukasten uvm.)]( "Fachkunde Elektrotechnik für Einsteiger: Alle Grundlagen, wichtigen Details und spezifische Fachkenntnisse leicht verständlich erklärt und beigebracht (inkl. Tabellenbuch, Übungen, Baukasten uvm.)")
Fachkunde Elektrotechnik für Einsteiger: Alle Grundlagen, wichtigen Details und spezifische Fachkenntnisse leicht verständlich erklärt und beigebracht (inkl. Tabellenbuch, Übungen, Baukasten uvm.)15,90 €![Mittelspannungsanlagen]( "Mittelspannungsanlagen")
Mittelspannungsanlagen49,00 €![Sensori]( "Sensori")
Sensori56,99 €![Sistema automatizado antirrobo para la distribución de electricidad]( "Sistema automatizado antirrobo para la distribución de electricidad")
Sistema automatizado antirrobo para la distribución de electricidad24,99 €![Control del envejecimiento de los transistores de potencia]( "Control del envejecimiento de los transistores de potencia")
Control del envejecimiento de los transistores de potencia40,99 €
Dieses Buch befasst sich mit der Weiterentwicklung und Analyse von zylindrischen FETs mit verspanntem Kanal und zylindrischem Gate (CGAA - cylindrical gate-all-around). Die Studie untersucht ein Design im Nanomaßstab, das drei ultradünne verspannte Schichten enthält: zwei äußere Schichten aus verspanntem Silizium (s-Si) und eine mittlere Schicht aus verspanntem Silizium-Germanium (s-SiGe), die eine Heterostruktur auf einem Isolator (HOI) innerhalb des CGAA-FETs bilden. Diese verspannten Schichten im Kanal schränken Quantenladungsträger wirksam ein, wodurch die Ladungsträgerbeweglichkeit erhöht und der Schwellenspannungsabfall verringert wird.