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El trabajo pertenece al campo de la nanotecnología, que ha experimentado un rápido desarrollo en las últimas décadas. Muchos aspectos siguen sin estar claros y requieren un estudio más detallado. El trabajo propuesto contiene un análisis de las leyes que rigen la formación de elementos de reconstrucción y estructuras de clústeres en las superficies Si(111) y Si(557). Se han estudiado las características de la aparición de la reconstrucción 7x7 en la superficie vecinal Si(557). Se ha establecido que, a diferencia de la superficie Si(111), la formación de clústeres en la superficie Si(557) no comienza inmediatamente con el inicio de la pulverización. El retraso es de hasta el 20 % del tiempo total de pulverización de la monocapa. Durante este retraso, los átomos de indio se depositan en los escalones, formando zonas de recubrimiento no estructurado de indio. Se ha intentado explicar la causa de la formación de reconstrucciones tan complejas como 7x7 o 5x5. Se ha formulado una versión de la creación de la técnica STMS: el escaneo simultáneo del relieve de la superficie y la obtención de dependencias espectroscópicas.