Estudio de las propiedades optoelectrónicas de las aleaciones HfxSi1-xO2 - Ould Moussa, Mawloud
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En este trabajo hemos estudiado la estabilidad dinámica, las propiedades estructurales, electrónicas y termoeléctricas de las aleaciones de tipo HfxSi1-xO2, utilizando el método de ondas planas aumentadas linealizadas con un potencial total (FP-LAPW) en el marco de la teoría de la función de densidad (DFT) implementada en el código Wien2k. El potencial de intercambio y correlación se trató mediante diferentes aproximaciones, como GGA. Los resultados electrónicos que obtuvimos mostraron que HfSi3O8 posee un carácter semiconductor con un gap directo igual a 3,909 eV, utilizando la aproximación…mehr

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Produktbeschreibung
En este trabajo hemos estudiado la estabilidad dinámica, las propiedades estructurales, electrónicas y termoeléctricas de las aleaciones de tipo HfxSi1-xO2, utilizando el método de ondas planas aumentadas linealizadas con un potencial total (FP-LAPW) en el marco de la teoría de la función de densidad (DFT) implementada en el código Wien2k. El potencial de intercambio y correlación se trató mediante diferentes aproximaciones, como GGA. Los resultados electrónicos que obtuvimos mostraron que HfSi3O8 posee un carácter semiconductor con un gap directo igual a 3,909 eV, utilizando la aproximación GGA. Para los compuestos HfSiO4 y Hf3SiO8, los resultados del estudio de la estructura de bandas muestran que ambos compuestos son semiconductores con un gap indirecto con valores de predicción iguales a 7,2 eV y 5,2 eV para HfSiO4 y Hf3SiO8, respectivamente. Las propiedades termoeléctricas y la estabilidad dinámica obtenidas indican que estos compuestos son muy rígidos, indeformables y altamente ordenados.
Autorenporträt
-2005: bacharelato em ciências experimentais em Médéa, Argélia.-2010: diploma de professor do ensino secundário na École Normale Supérieure de Kouba.-2018: mestrado em Física na Universidade de Tissemsilt.-2022: doutorado em Física na Universidade de Saida.-2010: professor de Física no Liceu Chahbounia em Médéa, Argélia.