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Dans cette étude, les calculs de la théorie fonctionnelle de la densité ont été utilisés pour calculer les structures électroniques et les propriétés optiques des composés binaires et ternaires de chalcogénure d'antimoine Sb2S3, Tl2S, TlSbS2 et TlSb3S5. Les structures de bande et la densité d'états ont montré que les densités asymétriques dans les composés Sb2S3, TlSbS2 et TlSb3S5 sont dues à la présence d'états 5s d'antimoine-Sb. Cette densité asymétrique est affectée par l'augmentation de l'énergie de l'état de valence 3p de l'élément S. Les bandes interdites fondamentales ont été calculées, ce qui a révélé un caractère semi-conducteur direct au milieu de la zone de Brillouin pour TlSb3S5, tandis que Sb2S3, Tl2S et TlSbS2 présentaient un comportement semi-conducteur indirect. De plus, les variations de diverses grandeurs optiques en fonction de la longueur d'onde ont également été calculées et discutées pour déterminer l'efficacité optoélectronique des composés étudiés.