(100) tartibli monokristall n-GaAs tagliklarga suyuq fazali epitaksiya usulida (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y ko'p qatlamli plyonkalar asosidagi lazer materillari ilk bor o'stirildi; olingan (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y ko'p qatlamli plyonkalar asosidagi lazer materillari taglik tartib-lanishiga mos ravishda (100) tartibli, blok o'lchamlari 52 nmli monokristal hisoblanib, sfalerit tuzilishga ega ekanligi isbotlandi; Ge2 molekulalari GaAs molekulalari bilan qisman o'rin almashgan hol-da joylashib, asosiy panjara bloklarini shakllantirishi va bloklarning bo'linish chegarasi bo'ylab nuqsonga moyil sohalarida ortiqcha Ge atomlari o'lchami 44 nm bo'lgan nanokristallarni shakllantirishi aniqlandi; ZnSe kvant nuqta geometrik o'lchamlari qiymatlarini, shuningdek, n-Si-¿-(GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y geterotuzilmasini mukammaligini boshqarish orqali GaAs va uning qattiq qorishmalari asosida samarali, qulay va arzon lazer materillarining ehtiyot qismlarini tayyorlash mumkin.
Bitte wählen Sie Ihr Anliegen aus.
Rechnungen
Retourenschein anfordern
Bestellstatus
Storno