Zu¿ycie energii przez pami¿¿ g¿ówn¿ ma znacz¿cy wp¿yw na wydajnö¿ systemu mikroprocesorowego. Moc generowana z energii zu¿ywanej przez pami¿¿ g¿ówn¿ jest jednym z krytycznych ogranicze¿ wydajnöci mikroprocesora. Jest to szczególnie widoczne w przenönych urz¿dzeniach komputerowych i komputerach wbudowanych, takich jak telefony komórkowe, PDA i laptopy.Magnetyczna pami¿¿ RAM (MRAM) to nowa technologia pami¿ci, która ¿¿czy w sobie du¿¿ szybkö¿ statycznej pami¿ci RAM (SRAM), dost¿p, g¿stö¿ i koszt charakterystyczny dla pami¿ci DRAM. SRAM to technologia pami¿ci nieulotnej, która zachowuje dane w swoich komórkach bez wst¿pnego ¿adowania. Jest ona najcz¿¿ciej wykorzystywana jako pami¿¿ podr¿czna w komputerach. Pami¿¿ MRAM wykorzystuje magnetyzm do przechowywania bitów danych. Wykorzystuje ona polaryzacj¿ magnetyczn¿ cienkiej warstwy ferromagnetycznej do przechowywania danych. Do zmiany polaryzacji magnetycznej komórki wykorzystywana jest energia elektryczna.
Bitte wählen Sie Ihr Anliegen aus.
Rechnungen
Retourenschein anfordern
Bestellstatus
Storno