Interes k issledowaniü i razrabotke tonkoplenochnyh tehnologij ne oslabewaet wsledstwie perspektiw ih prakticheskogo primeneniq w älektronnoj i optoälektronnoj promyshlennosti. Pri ätom wozmozhnost' prodolzhitel'noj äxpluatacii priborow mikroälektroniki i optoälektroniki w znachitel'noj mere zawisit ot stabil'nosti obrazuüschih ih tonkoplenochnyh struktur. V predstawlennoj rabote awtorom predprinqta popytka izucheniq mehanizma wzaimodejstwiq plenochnogo pokrytiq s uprugim osnowaniem. Razlichie mezhdu parametrami kristallicheskih reshetok materialow plenki i podlozhki obuslawliwaet wozniknowenie w plenke naprqzhenij nesootwetstwiq. Predpolagaetsq, chto, sozdawaemoe pole naprqzhenij aktiwiruet massoperenos wdol' powerhnosti pokrytiq, a pri wysokih temperaturah - i wglub' materiala plenki. Takim obrazom, w kachestwe modeli wolnoobrazowaniq powerhnosti naprqzhennogo tela rassmatriwaetsq model' poteri ustojchiwosti ploskoj formy powerhnosti w rezul'tate diffuzionnyh processow, lokalizowannyh w pripowerhnostnom sloe. Pri ätom uchitywaütsq razlichnye formy äwolücii rel'efa. Pri pomoschi metoda wozmuschenij analiziruetsq koncentraciq naprqzhenij, wyzwannaq iskriwleniem powerhnosti plenki.
Bitte wählen Sie Ihr Anliegen aus.
Rechnungen
Retourenschein anfordern
Bestellstatus
Storno







