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En los circuitos electrónicos de alta velocidad y bajo consumo se necesitan dispositivos con características más pronunciadas. La velocidad del dispositivo aumenta con características IV más pronunciadas, y la baja potencia se consigue haciendo funcionar el dispositivo en la región subumbral. La medición de corrientes en la región subumbral es un gran reto. Para conseguir una alta conmutación, necesitamos proponer un nuevo dispositivo con las ventajas combinadas de FinFET y TFET. Esta tesis propone un dispositivo híbrido con un valor SS < 25 mV/Dec. En esta tesis se utiliza el TCAD Centaurus para el modelado y la caracterización del dispositivo.