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No panorama em constante evolução da tecnologia de semicondutores, a procura de dispositivos mais pequenos, mais rápidos e mais eficientes tem sido a força motriz da inovação. Entre os inúmeros avanços, o aparecimento do transístor de efeito de campo de semicondutores de óxido metálico e semicondutor (MOSFET) sem junção (GAA) destaca-se como um marco transformador. Este livro explora o MOSFET GAA sem junção, um avanço que promete redefinir os limites do design convencional de transístores. Desde a sua génese concetual até às suas implicações práticas em diversas indústrias, este livro pretende…mehr

Produktbeschreibung
No panorama em constante evolução da tecnologia de semicondutores, a procura de dispositivos mais pequenos, mais rápidos e mais eficientes tem sido a força motriz da inovação. Entre os inúmeros avanços, o aparecimento do transístor de efeito de campo de semicondutores de óxido metálico e semicondutor (MOSFET) sem junção (GAA) destaca-se como um marco transformador. Este livro explora o MOSFET GAA sem junção, um avanço que promete redefinir os limites do design convencional de transístores. Desde a sua génese concetual até às suas implicações práticas em diversas indústrias, este livro pretende desvendar os meandros desta tecnologia de ponta. Com uma mistura de conhecimentos técnicos, aplicações práticas e perspectivas de futuro, procura iluminar o caminho para um futuro em que os MOSFETs GAA sem junção desempenham um papel fundamental na definição do panorama dos semicondutores.
Autorenporträt
Dr Rajni Gautam uzyskäa stopnie doktora, magistra in¿yniera i licencjata w dziedzinie elektroniki na Uniwersytecie Delhi w Indiach, odpowiednio w 2014, 2009 i 2007 roku. Ma 16 publikacji w renomowanych mi¿dzynarodowych czasopismach i 15 publikacji na mi¿dzynarodowych konferencjach. Jej ¿¿czna liczba cytowä wynosi 338 z indeksem h równym 10.