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Nel panorama in continua evoluzione della tecnologia dei semiconduttori, la ricerca di dispositivi più piccoli, più veloci e più efficienti è stata la forza trainante dell'innovazione. Tra la miriade di progressi, la comparsa del transistor a effetto di campo metal-ossido-semiconduttore (MOSFET) senza giunzioni GAA (Junctionless Gate-All-Around) spicca come una pietra miliare della trasformazione. Questo libro è un'esplorazione del MOSFET GAA senza giunzioni, un'innovazione che promette di ridefinire i confini della progettazione dei transistor convenzionali. Dalla sua genesi concettuale alle…mehr

Produktbeschreibung
Nel panorama in continua evoluzione della tecnologia dei semiconduttori, la ricerca di dispositivi più piccoli, più veloci e più efficienti è stata la forza trainante dell'innovazione. Tra la miriade di progressi, la comparsa del transistor a effetto di campo metal-ossido-semiconduttore (MOSFET) senza giunzioni GAA (Junctionless Gate-All-Around) spicca come una pietra miliare della trasformazione. Questo libro è un'esplorazione del MOSFET GAA senza giunzioni, un'innovazione che promette di ridefinire i confini della progettazione dei transistor convenzionali. Dalla sua genesi concettuale alle sue implicazioni pratiche in diversi settori, questo libro si propone di svelare le complessità di questa tecnologia all'avanguardia. Con una miscela di approfondimenti tecnici, applicazioni pratiche e prospettive lungimiranti, cerca di illuminare il percorso verso un futuro in cui i MOSFET GAA senza giunzioni giocheranno un ruolo fondamentale nel panorama dei semiconduttori.
Autorenporträt
Dr Rajni Gautam uzyskäa stopnie doktora, magistra in¿yniera i licencjata w dziedzinie elektroniki na Uniwersytecie Delhi w Indiach, odpowiednio w 2014, 2009 i 2007 roku. Ma 16 publikacji w renomowanych mi¿dzynarodowych czasopismach i 15 publikacji na mi¿dzynarodowych konferencjach. Jej ¿¿czna liczba cytowä wynosi 338 z indeksem h równym 10.