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V rezul'tate izmerenij fotoälektronnyh spektrow urownq Ga3d posle skola in situ po ploskosti (110)legirowannyh poluprowodnikow n-,p-GaAs dlq 14-ti nominal'no identichnyh p-n perehodow i zerkal'no ploskih pod opticheskim mikroskopom, byli polucheny polozheniq urownq Fermi dlq n- i p- sloew. Issledowalos' takzhe dwumernoe fotoämissionnoe izobrazhenie p-n perehoda s ispol'zowaniem puchka sinhrotronnogo izlucheniq (diametr 0.7 mkm, änergiq 95 äV, int.~10E10 fot./c). Poluchennaq srednqq welichina izgiba zon otnositel'no polozheniq ideal'nyh ploskih zon, harakternyh dlq otsutstwiq powerhnostnyh defektow, sostawila 0.12+/-0.05 äV dlq p- sloq, i 0.16+/-0.08 äV dlq n- sloq, pri razreshenii spektrometra <0.15 äV. Rezul'taty äxperimentow, priwodqschie k raznoj stepeni otlichiq ot uslowiq ploskih zon dlq kazhdogo skola, ob#qsnqütsq wneshnimi lokal'nymi mikroskopicheskimi defektami skola, kotorye mogut poqwlqt'sq sluchajno i nepredskazuemo, poskol'ku dinamika sistemy pri skole qwlqetsq linejnym processom mnogih tel i mnogih stepenej swobody.