Andere Kunden interessierten sich auch für
![Ocena wydajno¿ci odbiorników optycznych SLA/PIN-HBT i APD/HBT]( "Ocena wydajno¿ci odbiorników optycznych SLA/PIN-HBT i APD/HBT")
Ocena wydajno¿ci odbiorników optycznych SLA/PIN-HBT i APD/HBT23,99 €![Valutazione delle prestazioni dell'architettura SRAM 3D con TSV coassiale]( "Valutazione delle prestazioni dell'architettura SRAM 3D con TSV coassiale")
Valutazione delle prestazioni dell'architettura SRAM 3D con TSV coassiale26,99 €![Évaluation des performances de l'architecture SRAM 3D utilisant des TSV coaxiaux]( "Évaluation des performances de l'architecture SRAM 3D utilisant des TSV coaxiaux")
Évaluation des performances de l'architecture SRAM 3D utilisant des TSV coaxiaux26,99 €![Leistungsbewertung einer 3D-SRAM-Architektur mit koaxialem TSV]( "Leistungsbewertung einer 3D-SRAM-Architektur mit koaxialem TSV")
Leistungsbewertung einer 3D-SRAM-Architektur mit koaxialem TSV39,90 €![Avaliação do desempenho da arquitetura SRAM 3D utilizando TSV coaxial]( "Avaliação do desempenho da arquitetura SRAM 3D utilizando TSV coaxial")
Avaliação do desempenho da arquitetura SRAM 3D utilizando TSV coaxial26,99 €![POPRAWA JAKO¿CI OBRAZU ULTRAD¿WI¿KOWEGO Z WYKORZYSTANIEM INTELIGENTNYCH KROPLI WODY (IWD)]( "POPRAWA JAKO¿CI OBRAZU ULTRAD¿WI¿KOWEGO Z WYKORZYSTANIEM INTELIGENTNYCH KROPLI WODY (IWD)")
POPRAWA JAKO¿CI OBRAZU ULTRAD¿WI¿KOWEGO Z WYKORZYSTANIEM INTELIGENTNYCH KROPLI WODY (IWD)29,99 €![Podejmowanie decyzji w oparciu o IoT z wykorzystaniem sztucznej inteligencji]( "Podejmowanie decyzji w oparciu o IoT z wykorzystaniem sztucznej inteligencji")
Podejmowanie decyzji w oparciu o IoT z wykorzystaniem sztucznej inteligencji29,99 €
Uk¿adanie w stosy urz¿dze¿ logicznych i pami¿ciowych w technologii 3D ma zasadnicze znaczenie dla utrzymania tempa rozwoju zgodnie z prawem Moore'a. W integracji 3D urz¿dzenia pami¿ciowe mog¿ by¿ uk¿adane w stosy na procesorach. Architektura pami¿ci 3D oparta na TSV umo¿liwia ponowne wykorzystanie uk¿adów logicznych z wieloma warstwami pami¿ci. Konwencjonalna pami¿¿ 3D charakteryzuje si¿ nisk¿ pr¿dko¿ci¿, wysokim zu¿yciem energii i nisk¿ wydajno¿ci¿ z powodu du¿ego obci¿¿enia paso¿ytniczego TSV i zmienno¿ci PVT mi¿dzy warstwami. Aby przezwyci¿¿y¿ te ograniczenia, w niniejszym artykule przedstawiono fizyczny projekt architektury pó¿-master-slave (SMS) pami¿ci 3D SRAM, która zapewnia interfejs logiczny SRAM o stäym obci¿¿eniu w ró¿nych warstwach oraz wysok¿ tolerancj¿ na zmiany PVT mi¿dzy warstwami. Schemat SMS jest po¿¿czony z samoczynnie taktowanym ró¿nicowym TSV (STDT) wykorzystuj¿cym schemat ¿ledzenia obci¿¿enia TSV w celu uzyskania niewielkiego wahania napi¿cia TSV w celu st¿umienia obci¿¿enia mocy i pr¿dko¿ci komunikacji sygnäu mi¿dzywarstwowego TSV wynikaj¿cego z du¿ych obci¿¿e¿ paso¿ytniczych TSV w projektach UMCP ze skalowalnymi warstwami i szerokim IO. Zapewnia to uniwersaln¿ platform¿ pojemno¿ci pami¿ci.