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Questo libro presenta la progettazione di un'ALU a 1 bit ad alta velocità e basso consumo con tecnologia CMOS a 45 nm. La progettazione di circuiti ad alta velocità e basso consumo è diventata un campo stimolante ed emergente tra i progettisti e i ricercatori di circuiti. Un'ALU a 1 bit è stata progettata con tecnologia CMOS a 45 nm utilizzando tecniche di circuito CMOS, nMOS PTL e GDI e sono state confrontate le sue caratteristiche prestazionali quali dissipazione di potenza, ritardo, prodotto potenza-ritardo e numero di transistor. La tecnica GDI offre caratteristiche prestazionali migliori per la progettazione di circuiti VLSI ad alta velocità e basso consumo. Questa tecnica di circuito riduce la dissipazione di potenza e il ritardo, mantenendo inoltre una bassa complessità nella progettazione dei circuiti integrati. Questa tecnica è adatta alla progettazione di circuiti VLSI ad alta velocità e basso consumo utilizzando un numero molto inferiore di transistor rispetto ad altre tecniche di progettazione di circuiti. Questa tecnica si è affermata come una tecnica di circuito efficace per la progettazione di circuiti VLSI ad alta velocità e basso consumo. I contributi forniti in questo libro aiuterebbero i progettisti di circuiti e i ricercatori nella progettazione di circuiti integrati ad alta velocità e basso consumo.