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L'applicazione dell'identificazione a radiofrequenza (RFID) ad altissima frequenza (UHF) ha acquisito slancio dopo la ratifica del protocollo EPC Classe 1 Gen 2 (EPC C1G2, noto anche come ISO 18000-6C). La disponibilità limitata dei diodi a barriera Schottky (SBD) ha stimolato la ricerca di soluzioni circuitali alternative per fabbricare chip RFID UHF con prestazioni comparabili utilizzando processi CMOS tipici. Il front-end analogico RFID UHF è composto da quattro elementi fondamentali: raddrizzatore RF-DC UHF, riferimento di tensione e regolatore, modulatore e demodulatore. Questo libro ha identificato il MOSFET a soglia dinamica (DTMOST) come un dispositivo promettente per applicazioni a bassissima potenza e ha esplorato topologie di circuiti e metodologie di progettazione che impiegano il DTMOST per l'AFE RFID UHF. Tutti i progetti e le analisi dei circuiti si basano su una tecnologia CMOS 0,18 µm a singolo polisilicio con sei strati metallici (1P6M) e triplo pozzo. Il guadagno in termini di prestazioni, il consumo energetico, la penalizzazione in termini di area e le considerazioni di progettazione associate alle tecniche DTMOST sono stati confrontati e contrapposti alle celle tradizionali.