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La pulvérisation des surfaces latérales des cristaux de PbTe obtenus à partir de la fonte par la méthode Bridgman par le plasma Ar dans les conditions de la spectrométrie de masse neutre secondaire est examinée. De nouveaux phénomènes - oscillations apériodiques des taux de pulvérisation du Pb et du Te, préférence énorme pour la pulvérisation du Te atteignant plus de deux ordres de grandeur au début du processus de pulvérisation, et excès significatif du rendement de pulvérisation intégré du Te par rapport à celui du Pb pour une pulvérisation prolongée par un plasma à faible énergie (50-160…mehr

Produktbeschreibung
La pulvérisation des surfaces latérales des cristaux de PbTe obtenus à partir de la fonte par la méthode Bridgman par le plasma Ar dans les conditions de la spectrométrie de masse neutre secondaire est examinée. De nouveaux phénomènes - oscillations apériodiques des taux de pulvérisation du Pb et du Te, préférence énorme pour la pulvérisation du Te atteignant plus de deux ordres de grandeur au début du processus de pulvérisation, et excès significatif du rendement de pulvérisation intégré du Te par rapport à celui du Pb pour une pulvérisation prolongée par un plasma à faible énergie (50-160 eV) - sont présentés. Les corrélations entre les caractéristiques de la pulvérisation de surface des cristaux de PbTe et les processus de redéposition des espèces pulvérisées sur la surface de pulvérisation sont démontrées. Il est conclu que la formation et la re-pulvérisation des noyaux sous-critiques de la nouvelle phase conduisent à des oscillations des rendements de pulvérisation du Pb et du Te. La formation de structures superficielles de taille post-critique soumises à une nouvelle pulvérisation entraîne des changements dans l'ampleur moyenne des rendements de pulvérisation du Pb et du Te. Les particularités des états de charge du Pb et du Te interstitiels dans la matrice cristalline de PbTe sont à l'origine de l'énorme pulvérisation préférentielle du Te par les faisceaux d'ions Ar+ de faible énergie.
Autorenporträt
Dmytro Zayachuk, Doutor em Ciências, Professor, Professor do Departamento de Eletrónica e Tecnologias Informáticas da Universidade Politécnica Nacional de Lviv, Lviv, Ucrânia. Attila Csík, PhD, Investigador Sénior no Instituto de Investigação Nuclear, Academia Húngara de Ciências, Debrecen, Hungria.