Andere Kunden interessierten sich auch für
![Dostojnyj trud, äkonomicheskij rost i iskusstwennyj intellekt]( "Dostojnyj trud, äkonomicheskij rost i iskusstwennyj intellekt")
Dostojnyj trud, äkonomicheskij rost i iskusstwennyj intellekt29,99 €![Harakteristika nanomaterialow]( "Harakteristika nanomaterialow")
Harakteristika nanomaterialow16,99 €![Rost i razwitie nauki i tehniki w 21 weke]( "Rost i razwitie nauki i tehniki w 21 weke")
Rost i razwitie nauki i tehniki w 21 weke16,99 €![Rost industrii swqzi w Indii]( "Rost industrii swqzi w Indii")
Rost industrii swqzi w Indii58,99 €![Harakteristika drewesiny Pradosia sp. dlq ispol'zowaniq w konstrukciqh]( "Harakteristika drewesiny Pradosia sp. dlq ispol'zowaniq w konstrukciqh")
Harakteristika drewesiny Pradosia sp. dlq ispol'zowaniq w konstrukciqh13,99 €![Poristyj kremnij]( "Poristyj kremnij")
Poristyj kremnij " Razrabotka i harakteristika13,99 €![Sintez i harakteristika kompozita iz alüminiewo-titanowyh hlop'ew]( "Sintez i harakteristika kompozita iz alüminiewo-titanowyh hlop'ew")
Sintez i harakteristika kompozita iz alüminiewo-titanowyh hlop'ew13,99 €
Rost odnogo poluprowodnika na drugom izwesten kak process geteroäpitaxii, kotoryj pozwolil sozdat' shirokij spektr tak nazywaemyh geteroäpitaxial'nyh priborow, takih kak swetoizluchaüschie diody wysokoj qrkosti, lazery i wysokochastotnye tranzistory. Razrabotka ustrojstw s ispol'zowaniem drugih materialow osnowana na wybore podlozhki i predstawlena kombinaciej äpitaxial'nyj sloj/podlozhka. Takoe sochetanie s pomosch'ü processa rosta trebuet realizacii maximal'noj himicheskoj i kristallograficheskoj sowmestimosti, pri kotoroj kristallograficheskaq orientaciq sloq tochno opredelqetsq kristallom podlozhki. Struktura powerhnosti kristalla-podlozhki mozhet okazywat' wazhnoe wliqnie na swojstwa äpitaxial'nogo kristalla. S drugoj storony, gomoäpitaxiq - äto drugoj process, otlichaüschijsq ot geteroäpitaxii, esli podlozhka i sloj imeüt odinakowyj himicheskij sostaw, my goworim o gomoäpitaxii, naprimer, GaAs/GaAs, i goworim o geteroäpitaxii, esli sloj/podlozhka imeüt raznyj himicheskij sostaw, naprimer, InP/GaAs. Jeti materialy ispol'zuütsq dlq proizwodstwa swetodiodow wysokogo kachestwa i tranzistorow s wysokoj podwizhnost'ü.