Andere Kunden interessierten sich auch für
![Akceleratory cz¿stek i ró¿ne stany skupienia]( "Akceleratory cz¿stek i ró¿ne stany skupienia")
Akceleratory cz¿stek i ró¿ne stany skupienia29,99 €![Badania czystych i mieszanych kryszta¿ów winianu hodowanych w ¿elu]( "Badania czystych i mieszanych kryszta¿ów winianu hodowanych w ¿elu")
Badania czystych i mieszanych kryszta¿ów winianu hodowanych w ¿elu26,99 €![Sputtering di cristalli di PbTe e ri-deposizione di specie sputate]( "Sputtering di cristalli di PbTe e ri-deposizione di specie sputate")
Sputtering di cristalli di PbTe e ri-deposizione di specie sputate19,99 €![Projektowanie chemii kryszta¿ów dla wysokowydajnego ferrytu spinelowego]( "Projektowanie chemii kryszta¿ów dla wysokowydajnego ferrytu spinelowego")
Projektowanie chemii kryszta¿ów dla wysokowydajnego ferrytu spinelowego23,99 €![Pulvérisation de cristaux de PbTe et redéposition des espèces pulvérisées]( "Pulvérisation de cristaux de PbTe et redéposition des espèces pulvérisées")
Pulvérisation de cristaux de PbTe et redéposition des espèces pulvérisées19,99 €![Technologia cienkich warstw poprzez osadzanie w k¿pieli chemicznej]( "Technologia cienkich warstw poprzez osadzanie w k¿pieli chemicznej")
Technologia cienkich warstw poprzez osadzanie w k¿pieli chemicznej39,99 €![Pulverização de cristal de PbTe e redeposição de espécies pulverizadas]( "Pulverização de cristal de PbTe e redeposição de espécies pulverizadas")
Pulverização de cristal de PbTe e redeposição de espécies pulverizadas19,99 €
Rozwäono zjawisko rozpylania bocznych powierzchni krysztäów PbTe wyhodowanych ze stopu metod¿ Bridgmana za pomoc¿ plazmy argonowej w warunkach wtórnej neutralnej spektrometrii masowej. Przedstawiono nowe zjawiska - aperiodyczne oscylacje szybko¿ci rozpylania Pb i Te, ogromn¿ przewag¿ rozpylania Te osi¿gaj¿c¿ ponad dwa rz¿dy wielko¿ci na pocz¿tku procesu rozpylania oraz znaczny nadmiar zintegrowanej wydajno¿ci rozpylania Te w stosunku do Pb w przypadku d¿ugotrwäego rozpylania plazm¿ o niskiej energii (50-160 eV). Wykazano korelacje mi¿dzy cechami rozpylania powierzchni krysztäów PbTe a procesami ponownego osadzania si¿ rozpylanych cz¿stek na powierzchni rozpylaj¿cej. Stwierdzono, ¿e tworzenie si¿ i ponowne rozpylanie subkrytycznych j¿der nowej fazy prowadzi do oscylacji wydajno¿ci rozpylania Pb i Te. Tworzenie si¿ ponownie napylanych struktur powierzchniowych o rozmiarach przekraczaj¿cych rozmiary krytyczne prowadzi do zmian ¿rednich wielko¿ci wydajno¿ci napylania Pb i Te. Osobliwo¿ci stanów näadowania mi¿dzycz¿steczkowego Pb i Te w matrycy krysztäu PbTe powoduj¿ ogromne preferencyjne napylanie Te przez wi¿zki jonów Ar+ o niskiej energii.