Mawloud OULD MOUSSA

Studio delle proprietà optoelettroniche delle leghe HfxSi1-xO2

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Produktbeschreibung

In questo lavoro abbiamo studiato la stabilità dinamica, le proprietà strutturali, elettroniche e termoelettriche delle leghe di tipo HfxSi1-xO2, utilizzando il metodo delle onde piane linearizzate aumentate con potenziale totale (FP-LAPW) nell'ambito della teoria della funzionale della densità (DFT) implementata nel codice Wien2k. Il potenziale di scambio e di correlazione è stato trattato con diverse approssimazioni come GGA. I risultati elettronici ottenuti hanno mostrato che HfSi3O8 possiede un carattere semiconduttore con un gap diretto pari a 3,909 eV, utilizzando l'approssimazione GGA. Per i composti HfSiO4 e Hf3SiO8, i risultati dello studio della struttura a bande mostrano che entrambi i composti sono semiconduttori a gap indiretto con valori di previsione pari a 7,2 eV e 5,2 eV rispettivamente per HfSiO4 e Hf3SiO8. Le proprietà termoelettriche e la stabilità dinamica ottenute indicano che questi composti sono molto rigidi, indeformabili e altamente ordinati.

Produktdetails

• Verlag: Edizioni Sapienza
• Seitenzahl: 68
• Erscheinungstermin: 18. Juni 2025
• Italienisch
• Abmessung: 220mm x 150mm x 5mm
• Gewicht: 119g
• ISBN-13: 9786208969042
• ISBN-10: 6208969042
• Artikelnr.: 74518899

Autorenporträt

-2005: laurea triennale in scienze sperimentali a Médéa, Algeria.-2010: diploma di insegnante di scuola secondaria presso l'École Normale Supérieure di Kouba.-2018: Master in Fisica presso l'Università di Tissemsilt.-2022: Dottorato in Fisica presso l'Università di Saida.-2010: Insegnante di fisica presso il Liceo Chahbounia di Médéa, Algeria.