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Dieser erste Band geht auf Eigenschaften und Wachstumsverhalten von Gallium-Nitriden unter Berücksichtigung von ausgedehnten Defekten, Punktdefekten und Dotierung ein. Ein Schwerpunkt liegt auf den Abscheidungsmethoden VPE, CVD und MBE und Wachstum unter Hochdruckbedingungen.

Produktbeschreibung
Dieser erste Band geht auf Eigenschaften und Wachstumsverhalten von Gallium-Nitriden unter Berücksichtigung von ausgedehnten Defekten, Punktdefekten und Dotierung ein. Ein Schwerpunkt liegt auf den Abscheidungsmethoden VPE, CVD und MBE und Wachstum unter Hochdruckbedingungen.

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Autorenporträt
Hadis Morkoç received his Ph.D. degree in Electrical Engineering from Cornell University. From 1978 to 1997 he was with the University of Illinois, then joined the newly established School of Engineering at the Virginia Commonwealth University in Richmond. He and his group have been responsible for a number of advancements in GaN and devices based on them. Professor Morkoç has authored several books and numerous book chapters and articles. He serves or has served as a consultant to some 20 major industrial laboratories. Professor Morkoç is, among others, a Fellow of the American Physical Society, the Material Research Society, and of the Optical Society of America.