Dieser Download kann aus rechtlichen Gründen nur mit Rechnungsadresse in A, B, BG, CY, CZ, D, DK, EW, E, FIN, F, GR, HR, H, IRL, I, LT, L, LR, M, NL, PL, P, R, S, SLO, SK ausgeliefert werden.
Herstellerkennzeichnung
Die Herstellerinformationen sind derzeit nicht verfügbar.
Inhaltsangabe
1. Einleitung.- Literatur.- 2. Physikalische Eigenschaften des Galliumarsenids.- 2.1 Eigenschaften des reinen Galliumarsenids.- 2.2 Eigenschaften des dotierten Galliumarsenids.- Literatur.- 3. Galliumarsenid als Grundmaterial für elektronische Bauelemente.- 3.1 Dioden und Transistoren.- 3.2 Opto-elektronische Bauelemente.- 3.3 Elektronentransfer-(Gunn-Effekt-) Bauelemente.- 3.4 Germanium-Galliumarsenid-Heterobauelemente.- Literatur.- 4. Herstellung und Prüfung des Galliumarsenid-Grundmaterials.- 4.1 Horizontale Kristallisation.- 4.2 Zugtechnik (Czochralski-Verfahren).- 4.3 Tiegelfreie Zonenschmelze.- 4.4 Epitaxie aus der Gasphase.- 4.5 Prüfung des Kristallmaterials.- Literatur.- 5. Diffusionstechnik.- 5.1 Diffusion aus der Gasphase.- 5.2 Diffusion aus der festen Phase.- 5.3 Maskierung.- Literatur.- 6. Legierungstechnik.- 6.1 Epitaxie aus der flüssigen Phase.- 6.2 Ohmsche Kontakte.- Literatur.- 7. Dioden.- Literatur.- 8. Bipolare Transistoren.- 8.1 npn Transistoren.- 8.2 pnp Transistoren.- 8.3 Vierschichtentransistoren.- Literatur.- 9. Feldeffekttransistoren.- 9.1 Sperrschicht-Feldeffekttransistoren.- 9.2 Feldeffekttransistoren mit isolierter Steuerelektrode.- 9.3 Feldeffekttransistoren mit Schottky-Kontakt.- Literatur.- 10. Opto-elektronische Bauelemente.- 10.1 Leuchtdioden.- 10.2 Injektionslaser.- Literatur.- 11. Elektronentransfer-(Gunn-Effekt-)Bauelemente.- Literatur.- 12. Integrierte Bauelemente.- Literatur.
